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DMP2160UW
10
V GS = 3.0V
10
V DS = -5V
8
6
4
V GS = 3.0V
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
V GS = 2.0V
V GS = 1.5V
8
6
4
2
2
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
1 2 3 4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
5
0
0
T A = -55°C
0.5 1 1.5 2 2.5
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
3
1.6
1,200
f = 1MHz
1.4
1.2
V GS = -2.5V
I D = -2A
V GS = -4.5V
I D = -4.5A
1,000
800
600
C iss
V GS = 0V
1.0
400
0.8
200
C oss
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
C rss
4 8 12 16
20
1
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 On-Resistance Variation with Temperature
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Capacitance
0.9
8
0.8
0.7
0.6
I D = 1mA
6
0.5
4
T A = 25°C
I D = 250μA
0.4
2
0.3
0.2
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
1.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation vs.Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 6 Diode Forward Voltage vs. Current
DMP2160UW
Document number: DS31521 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
February 2013
? Diodes Incorporated
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